Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Реферативна база даних (6) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Eladl Sh$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 2 Представлено документи з 1 до 2 |
|||
| 1. | 
Eladl Sh. M. Analysis of a quantum well structure optical integrated device [Електронний ресурс] / Sh. M. Eladl, M. H. Saad // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2017. - Vol. 20, № 2. - С. 204-209. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2017_20_2_12 This paper demonstrates theoretical modeling of a quantum well structure optical integrated device. The constituent devices of the developed structure are a Quantum Well Infrared Photodetector (QWIP) to detect the optical infrared signal, a Heterojunction Phototransistor (HPT) to amplify the signal, and a Light Emitting Diode (LED) to emit this signal in a visible form. The model is based on the transient behavior of the constituent parts of the structure. The dominant pole approximation scheme is used to reduce its transfer function. The convolution theorem is used to get the overall transient response of the device under consideration. All interesting parameters concerning the transient response, rise time, output derivatives are theoretically investigated. The results show that the overall transient behavior, output derivative, and rise time of the considered structure are approximately the same as the constituent device possessing the lowest cutoff frequency. This type of model can be applied with high sensitivity in the up conversion of infrared or far infrared range for image signal processing. | ||
| 2. |
Eladl Sh. M. Modeling of ionizing radiation effect on static and dynamic behavior of vertical cavity surface emitting lasers [Електронний ресурс] / Sh. M. Eladl, K. A. Sharshar // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2017. - Vol. 20, № 4. - С. 442-446. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2017_20_4_10 In this work, the effect of ionizing radiation on static and dynamic behavior of Vertical Cavity Surface Emitting Laser (VCSEL) was investigated numerically. First, the model of dynamic behavior before irradiation has been analyzed based on Convolution Theorem. Second, all interesting ionizing radiation sensitive factors are compared with their corresponding post irradiation factors. The convolution theorem is applied to get features of dynamic behavior. All interesting parameters have been outlined. The effect of resonance frequency and damping parameters have been studied. The results show that static and dynamic response of these devices are dramatically deteriorated due to irradiation flux. The device gradually changes its mode of operation from lasing mode to LED mode by exhibiting weak oscillation of the output and fast damping with the increase of ionizing radiation. This type of model can be used for high data bit rate in multimode optical fiber network. | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |